Một loại Spin-Torque MRAM do EverSpin phát triển. Ảnh: DailyTech
Trong một nguyên cứu vào năm 2005, giáo sư vật lý Johan Akerman đã dự đoán rằng loại bộ nhớ truy xuất ngẫu nhiên từ trở (MRAM) sẽ là một ứng cử viên rất hứa hẹn để thay thế cho nhiều loại bộ nhớ phổ biến trên các thiết bị điện tử hiện đại. Và mới đây, một nhóm các nhà nghiên cứu đến từ đại học quốc gia Singapore (NUS) và đại học khoa học và công nghệ King…
========
DACO – Thiết bị Tự động hóa Mitsubishi – Bộ điều khiển PLC, Biến tần, Servo Motor System
Email: hungnguyen@dacovn.com
Handphone: 0904 768 598
Website: dacovn.com
Hotline: 0904 182 235/ 0962 28 0880
HotEmail: thuypham@dacovn.com
